- فرم ظاهری: 2280 M.2
- نوع کاربری: PC
- ظرفیت: 1 ترابایت
- درگاه اتصال: M.2 NVMe
- سرعت خواندن: 2100 مگابایت برثانیه
- سرعت نوشتن: 1700 مگابایت بر ثانیه
- مقاوم در برابر: شوک و لرزش
اس اس دی اینترنال M.2 NVMe کیوکسیا مدل KIOXIA EXCERIA G2 ظرفیت 1 ترابایت
تماس بگیرید
( آخرین بروزرسانی : 28 آذر, 1402 )
نقد و بررسی : اس اس دی اینترنال M.2 NVMe کیوکسیا مدل KIOXIA EXCERIA G2 ظرفیت 1 ترابایت
نقد و بررسی تخصصی اس اس دی اینترنال M.2 NVMe کیوکسیا مدل KIOXIA EXCERIA G2 ظرفیت 1 ترابایت
KIOXIA با نام سابق Toshiba Memory به عنوان یک شرکت ژاپنی پیشرو در ساخت حافظه‌های فلش و SSD، محصولاتی را ارائه می‌دهد که ارزش تازه‌ای در بازار ایجاد می‌کنند. سایت‌های تولیدی گروه KIOXIA دارای فناوری‌های پیشرفته در وسعت جهانی هستند که از رشد پایدار گروه‌های این هلدینگ پشتیبانی می‌کنند. سایت Yokkaichi این شرکت یکی از بزرگترین کارخانه‌های تولید محصولات ذخیره‌سازی در جهان است که در سال 1992 شروع به فعالیت کرده است. این شرکت در کنار محصولات خود همچنین برای WD و SanDisk هم حافظه فلش تولید می‌کند.
دیزاین و طراحی اس اس دی اینترنال M.2 NVMe کیوکسیا مدل KIOXIA EXCERIA G2 ظرفیت 1 ترابایت
KIOXIA EXCERIA G2 که نسل دوم این ssd و مدل ارتقا یافته G1 محسوب می‌شود از طراحی ساده‌ای برخوردار است. این حافظه با فرم فاکتور 2280 و مقدار حافظه 500 گیگابایت تا 2 ترابایت به بازار عرضه شده است.
ویژگی‌های تخصصی اس اس دی اینترنال M.2 NVMe کیوکسیا مدل KIOXIA EXCERIA G2 ظرفیت 1 ترابایت
این SSD یک حافظه میان‌رده است که از نسل 3 و 4 اتصال PCIE پشتیبانی می‌کند. سرعت خوانش ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه و نوشتن ترتیبی 1700 در کنار سرعت خواندن و نوشتن IOPS تصادفی 400K تقریباً برای کار‌های معمولی کفایت می‌کند. برای سرعت‌های بیشتر باید به سراغ SSD مدل EXCERIA PLUS G2 این شرکت بروید. کیوکسیا در ساخت G2 از 112 لایه TLC NAND استفاده کرده است. در این مدل برای بهبود سرعت نوشتن، از کش pseudo-SLC استفاده شده است. همچنین با استفاده از نرم افزار SSD Utility management می‌توان کنترل، نظارت و موارد دیگر درایو KIOXIA را در دست گرفت.
| نوع: | اینترنال |
|---|---|
| فرم فاکتور: | M.2 2280 |
| ورژن NVMe: | 1.3 |
|---|---|
| دمای آماده به کار: | -40 تا 85 درجه سانتی گراد |
| دمای حین کارکرد: | 0 تا 85 درجه سانتی گراد |
| رابط: | PCIe x4 Gen 3.0 |
| مصرف برق در حالت کار: | 3.5 وات |
| GC: | دارد |
| پشتیبانی از TRIM: | دارد |
| درگاه اتصال: | M.2 NVMe |
| عمر نوشتاری (TBW): | 400 ترابایت |
| میانگین عمر (MTBF): | 1.5 میلیون ساعت |
| نوع فلش: | TLC |
| مقاوم در برابر: | شوک، لرزش |
| ظرفیت: | 1 ترابایت |
| محدوده دمای مجاز: | 40- تا 85 درجه سانتی گراد |
| نورپردازی LED: | ندارد |
| سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی: | 400000 IOPS |
|---|---|
| سرعت خواندن اطلاعات تصادفی: | 400000 IOPS |
| سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی: | 1700 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی: | 2100 مگابایت بر ثانیه |
| وزن: | 6.8 گرم |
|---|---|
| ابعاد: | 2.23 × 22.15 × 80.15 میلی متر |
دیدگاهی ثبت نشده.